99.999%碲化镉CdTe粉末:-60/+120目，颗粒：1-6mm
1,技术对接： THM 移动式加热合成工艺（优越于CVD化学气相沉积工艺）
2,检验：ICP-MS；激光粒度分析仪，扫描电镜。
3,服务：提供实用的防护措施，提供材料应用解决方案。
（特别是CSS,VTD升华工艺制备碲化镉薄膜）
4，物理性质：
分子量：240.01
禁带宽度：1.44 eV
折射率：2.57
密度：5.85 g/cm3
熔点：1092℃
沸点：1130℃
5，规格：
碲化镉：CdTe-05 纯度99.999%以上，银，铝，砷，铋，铜，铁，镁，镍，铅，硒，硅，锌杂质总含量小于10ppm；
碲化镉：CdTe-06 纯度99.9999%以上，银，铝，砷，铋，铜，铁，镁，镍，铅，硒，硅杂质总含量小于1ppm。
6，物理性状：黑色块或粉末。
7，用途：
用于制作红外调制器，HgxCd1-xTe衬底，红外窗场致发光器件，光电池，红外探测，X射线探测，核放射性探测器，太阳能电池，接近可见光区的发光器件。
8，包装：涤纶薄膜包装后塑料薄膜真空封装或聚乙烯瓶封装。
99.999%碲化镉CdTe粉末:-60/+120目，颗粒：1-6mm
1,技术对接： THM 移动式加热合成工艺（优越于CVD化学气相沉积工艺）
2,检验：ICP-MS；激光粒度分析仪，扫描电镜。
3,服务：提供实用的防护措施，提供材料应用解决方案。
（特别是CSS,VTD升华工艺制备碲化镉薄膜）
4，物理性质：
分子量：240.01
禁带宽度：1.44 eV
折射率：2.57
密度：5.85 g/cm3
熔点：1092℃
沸点：1130℃
5，规格：
碲化镉：CdTe-05 纯度99.999%以上，银，铝，砷，铋，铜，铁，镁，镍，铅，硒，硅，锌杂质总含量小于10ppm；
碲化镉：CdTe-06 纯度99.9999%以上，银，铝，砷，铋，铜，铁，镁，镍，铅，硒，硅杂质总含量小于1ppm。
6，物理性状：黑色块或粉末。
7，用途：
用于制作红外调制器，HgxCd1-xTe衬底，红外窗场致发光器件，光电池，红外探测，X射线探测，核放射性探测器，太阳能电池，接近可见光区的发光器件。
8，包装：涤纶薄膜包装后塑料薄膜真空封装或聚乙烯瓶封装。
