锑化铟（InSb）单晶

1， 工艺：提拉法生长锑化铟单晶；

2， 纯度：6N(99.9999%) ；

3，检验： GDMS（所有的杂质元素总和低于1ppm）；XRD；电阻测试；

3， 规格：单晶棒，圆片，晶圆，厚度可做到0.3mm;

4， 掺杂：碲或锗；

5， 服务：提供MSDS及实用的防护措施；提供材料应用解决方案；提供免费样品；

         提供电子迁移率，载流子浓度等检测报告；

6，用途：红外探测器件，锑化铟磁阻传感器；

锑化铟（InSb）单晶

1， 工艺：提拉法生长锑化铟单晶；

2， 纯度：6N(99.9999%) ；

3，检验： GDMS（所有的杂质元素总和低于1ppm）；XRD；电阻测试；

3， 规格：单晶棒，圆片，晶圆，厚度可做到0.3mm;

4， 掺杂：碲或锗；

5， 服务：提供MSDS及实用的防护措施；提供材料应用解决方案；提供免费样品；

         提供电子迁移率，载流子浓度等检测报告；

6，用途：红外探测器件，锑化铟磁阻传感器；

锑化铟（InSb）单晶

1， 工艺：提拉法生长锑化铟单晶；

2， 纯度：6N(99.9999%) ；

3，检验： GDMS（所有的杂质元素总和低于1ppm）；XRD；电阻测试；

3， 规格：单晶棒，圆片，晶圆，厚度可做到0.3mm;

4， 掺杂：碲或锗；

5， 服务：提供MSDS及实用的防护措施；提供材料应用解决方案；提供免费样品；

         提供电子迁移率，载流子浓度等检测报告；

6，用途：红外探测器件，锑化铟磁阻传感器；

锑化铟（InSb）单晶

1， 工艺：提拉法生长锑化铟单晶；

2， 纯度：6N(99.9999%) ；

3，检验： GDMS（所有的杂质元素总和低于1ppm）；XRD；电阻测试；

3， 规格：单晶棒，圆片，晶圆，厚度可做到0.3mm;

4， 掺杂：碲或锗；

5， 服务：提供MSDS及实用的防护措施；提供材料应用解决方案；提供免费样品；

         提供电子迁移率，载流子浓度等检测报告；

6，用途：红外探测器件，锑化铟磁阻传感器；