EBPG5150使用了155mm大小的样品台,采用跟一样的通用光刻平台设计,对电子束直写应用进行了优化。它可以载入不同大小的样品,包括多片散片以及完整的硅片。
00001. 高束流密度,热场发射电子枪可以在20、50和100kV之间切换 00002. 155mm的平台 00003. 最小曝光特征尺寸小于8nm 00004. 高速度曝光,可采用50或100MHz的图形发生器 00005. 在所有KVs加速电压下,可连续改变的写场大小,最大可以到1mm 00006. GUI人机交互界面友好,简洁易用,适用于多用户环境 00007. 多项灵活可选择的配置,可以适用于不同应用的需求 可选的系统增强升级EBPG5150可以选择不同的升级选项,以满足用户不同的技术和预算需求。让全世界的高校等研究类用户也可以使用这款非常先进、高自动化的电子束光刻系统。 EBPG5150
应用· 电子束曝光用于制作GaAs
T型器件 · 微盘谐振器 · 开口环谐振器 EBPG5150
产品详情主要应用: · 100KV高加速电压可用于曝光高深宽比纳米结构 · 高速电子束直写 · 批量生产,如化合物半导体器件 · 防伪标识 | 电子光学柱技术: · EBPG · 电子束 · 100
kV
| 样品台: · 覆盖完整6英寸硅片大小 · 标配2工位自动化上料 (10工位可选) |
|