品牌:TI
型号;TPS51120RHBR
封装:QFN32
包装:3000
年份:18+
产地:MY
数量:30000
瑞利诚科技(深圳)有限公司
联系人:何小姐
TEL:13723714318
qq:3007215867
描述
笔记本电脑系统总线和I / O -40°C至85°C的环境温度。
COMP1 2 O环路补偿引脚(误差放大器输出)。将RC从该引脚连接到GND以实现正确的环路
COMP2 7 O补偿电流模式操作。将此引脚连接到V5FILT以进行D-CAP模式操作。
CS1 23 I电流检测比较器输入( - ),用于电阻检测方案。或者,过流跳闸设置输入
CS2 18 RDS(on)电流检测方案,如果通过阈值设置电阻连接到V5FILT。一世
DRVH1 27 O高侧MOSFET栅极驱动输出。源3.5Ω,吸收1.5Ω,LL节点参考浮动驱动器。驾驶
DRVH2 14 O电压对应于VBST至LL电压。
DRVL1 25 O整流(低侧)MOSFET栅极驱动输出。源3.5Ω,吸收1.5Ω,PGND参考驱动器。驾驶
DRVL2 16 O电压为VREG5电压。
EN1 29 I通道1和通道2 SMPS使能引脚。使用内部3 ms软启动连接至5 V以打开。
通过从这些引脚中的每一个施加外部电容到地,可以实现更慢的软启动
EN2 12 I编程斜率。
VREG3,3.3V低压差线性稳压器使能引脚。连接到GND以禁用。浮动或系紧到启用EN3 10 I
VREG5打开调节器。
VREG5,5V低压差线性稳压器使能引脚。连接到GND以禁用。漂浮或绑定到VBAT到EN5 9 I
打开调节器。
GND 5 I信号接地引脚。
LL1 26 I / O高端MOSFET栅极驱动器返回。也用作RDS(on)的电流检测比较器输入( - )
LL2 15感应和输入电压监视器,用于导通时间控制电路I / O.
PGND1 24 I / O整流MOSFET栅极驱动器的接地回路。将PGND2,PGND1和GND强连接在一起
靠近整流FET的源极或电流检测电阻的GND连接。也作为
PGND2 17 I / O电流检测比较器输入(+)。
PGOOD1 30 O电源良好的窗口比较器开漏输出。上拉电阻至V5FILT或适当的信号
电压。电流能力为5 mA。在VFB在指定限制范围内后,PGOOD会在1 ms后变为高电平。
PGOOD2 11 O坏(端子变为低电平)在10μs内。
SKIPSEL 32 I跳过和故障模式选择引脚。参见表5
TONSEL 31 I导通时间选择引脚。参见表1和表5。
V5FILT 20 I整个控制电路的5 V电源输入。应通过RC滤波器从VREG5提供。
VBST1 28 I高端MOSFET驱动器的电源输入。将电容从该引脚连接到相应的LL端子。一个
内部PN二极管连接在VREG5与这些引脚中的每一个之间。用户可以添加外部肖特基
VBST2 13 I二极管,如果正向压降对驱动功率MOSFET至关重要。
VFB1 3 I SMPS反馈输入。在此连接反馈电阻分压器,以实现可调输出。把这些针绑在一起
VFB2 6 I V5FILT或固定输出选项。参见表5
VIN 22 I为5 V和3.3 V线性稳压器提供输入。通常连接到VBAT。
VO1 1 I这些端子提供四种功能:导通时间调节,输出放电,VREG5,VREG3切换
输入和反馈输入,用于5 V,3.3 V固定输出选项。连接到相应的正极端子
VO2 8 I开关模式电源的输出电容。
2 V参考输出。在0 - 85°C的温度范围内,能够达到±50μA,±2%。通过1-nF VREF2 4 O陶瓷电容旁路至GND。将此引脚连接到GND会禁用两个SMPS。
3.3V,100mA低压差线性稳压器输出。通过10μF陶瓷电容旁路至PGND。从VIN电源运行VREG3 19 O.用EN3关闭。当提供3.1 V或更高电压时,切换到VO2。
5 V,100 mA低压差线性稳压器输出。通过10μF陶瓷电容旁路至PGND。运行
VREG5 21 O VIN电源。内部连接到VBST和DRVL。用EN5关闭。 4.8时切换到VO1
提供V或以上。