品牌：INFINEON
型号；SPW11N80C3
封装：TO-247
包装：240
年份：16+
数量：90000
诚信经销商
瑞利诚科技（深圳）有限公司
QQ:3007243117
苏S 瑞利诚科技
13723714328
CoolMOSTM功率晶体管
特征
•全新的革命性高压技术
•极端dv / dt额定值
•高峰值电流能力
•符合JEDEC1标准，适用于目标应用
•无铅铅镀层; 符合RoHS标准
•超低栅极电荷
•超低有效电容
CoolMOSTM 800V专为：
•具有高DC体电压的工业应用
•切换应用（即有源钳位）
最大额定值，T j = 25°C，除非另有说明
参数符号条件单位
连续漏极电流I D T C = 25°C A.
T C = 100℃
脉冲漏极电流2）I D，脉冲T C = 25°C
雪崩能量，单脉冲EAS I D = 2.2 A，V DD = 50 V 470 mJ
雪崩能量，重复t AR
2），3）EAR I D = 11 A，V DD = 50 V.
雪崩电流，重复t AR
2），3）I AR A.
MOSFET dv / dt耐用性dv / dt V DS = 0 ... 640 V V / ns
栅源电压V GS静态V.
AC（f> 1 Hz）
功耗Ptot T C = 25°C W.
操作和储存温度T j
，T stg°C
安装扭矩M2.5螺钉50 Ncm
最大额定值，T j = 25°C，除非另有说明
参数符号条件单位
连续二极管正向电流I S A.
二极管脉冲电流2）I S，脉冲33
反向二极管dv / dt
4）dv / dt 4 V / ns
参数符号条件单位
分钟。 （典型值）。最大。
热特性
热电阻，结壳R thJC - - 0.8 K / W.
R thJA领导 - - 62
焊接温度，
波峰焊仅允许在销售的T线上使用
1.6毫米（0.063英寸）
从10s的情况 - - 260°C
除非另有说明，电气特性在T j = 25°C时
静态特性
漏源击穿电压V（BR）DSS V GS = 0 V，I D =250μA800 - - V.
雪崩击穿电压V（BR）DS V GS = 0 V，I D = 11 A - 870 -
栅极阈值电压V GS（th）V DS = V GS，I D = 0.68 mA 2.1 3 3.9
零栅极电压漏极电流I DSS
V DS = 800 V，V GS = 0 V，
T j = 25°C - - 20μA
V DS = 800 V，V GS = 0 V，
T j = 150°C - 100 -
栅源漏电流I GSS V GS = 20 V，V DS = 0 V - - 100 nA
漏源导通电阻R DS（on）
V GS = 10 V，I D = 7.1 A，
T j = 25℃ - 0.39±0.45W
V GS = 10 V，I D = 7.1 A，
T j = 150°C - 1.05 -
栅极电阻R G f = 1 MHz，漏极开路 - 1.2 - W.
参数符号条件单位
分钟。（典型值）。最大。
动态特征
输入电容C iss - 1600 - pF
输出电容C oss - 65 -
有效的输出电容，能量
相关5）C o（呃） - 50 -
有效的输出电容，时间
related6）C o（tr） - 140 -
开启延迟时间t d（开） - 25 - ns
上升时间t r - 15 -
关闭延迟时间t d（关闭） - 72 -
下降时间t f - 10 -
栅极电荷特性
源极电荷Q gs - 8 - nC
栅极漏极电压Q gd - 30 -
栅极电荷总量Q g - 64 85
门高原电压Vplateau - 5.5 - V.
反向二极管
二极管正向电压VSD
V GS = 0 V，I F = I S = 11 A，
T j = 25°C - 1 1.2 V
反向恢复时间t rr - 550 - ns
反向恢复电荷Q rr - 10 - μC
峰值反向恢复电流I rrm - 33 - A.
5）C o（er）是一个固定电容，它提供与C oss相同的存储能量，而V DS从0到80％V DSS上升。
6）C o（tr）是固定电容，其提供与C oss相同的充电时间，而V DS从0到80％V DSS上升。
