描述
新型沟槽HEXFET®功率MOSFET来自
International Rectifier利用先进的处理技术实现极低导通电阻的技术每硅面积。
品牌：RFMD
型号；RF7245
封装：QFN
包装：2500
年份：16+
数量：900000
瑞利诚科技（深圳）有限公司
联系人：何小姐
TEL:13723714318
qq：3007215867
这个好处，结合了坚固耐用的设备设计即HEXFET电源
MOSFET是众所周知的，为设计者提供了便利具有极其高效和可靠的设备使用
在电池和负载管理应用中。
海沟技术
●超低导通电阻
●P沟道MOSFET
●可用于卷带
参数最大值 单位
VDS漏极 - 源极电压-40 V.
ID @ TA = 25°C连续漏极电流，VGS @ -10V -6.2
ID @ TA = 70°C连续漏极电流，VGS @ -10V -4.9 A.
IDM脉冲漏极电流聛-25
PD @TA = 25°C功耗聝2.5
PD @TA = 70°C功耗聝1.6
线性降额系数20 mW /°C
VGS栅极 - 源极电压±20 V.
TJ，TSTG结和存储温度范围-55至+ 150°C
参数最小值典型。最大。单位条件
V（BR）DSS漏极 - 源极击穿电压-40 --- --- V VGS = 0V，ID =-250μA
ΔV（BR）DSS /ΔTJ击穿电压温度。系数--- 0.03 --- V /°C参考25°C，ID = -1mA
--- 25 41 VGS = -10V，ID = -6.2A ??
--- 45 70 VGS = -4.5V，ID = -5.0A ??
VGS（th）栅极阈值电压-1.0 --- -3.0 V VDS = VGS，ID =-250μA
gfs正向跨导8.9 --- --- S VDS = -10V，ID = -6.2A
--- --- -10 VDS = -32V，VGS = 0V
--- --- -25 VDS = -32V，VGS = 0V，TJ = 70℃
栅极 - 源极正向泄漏--- --- -100 VGS = -20V
栅极 - 源极反向泄漏--- --- 100 VGS = 20V
Qg总栅极电荷--- 53 80 ID = -6.2A
Qgs门到源充电--- 14 21 nC VDS = -32V
Qgd栅极 - 漏极（“米勒”）充电--- 3.9 5.9 VGS = -10V
td（on）开启延迟时间--- 24 --- VDD = -20V ??
tr上升时间--- 280 --- ID = -1.0A
td（关闭）关闭延迟时间--- 210 --- RG =6.0Ω
tf下降时间--- 100 --- VGS = -10V
Ciss输入电容--- 3220 --- VGS = 0V
Coss输出电容--- 160 --- pF VDS = -25V
Crss反向传输电容--- 190 ---ƒ= 1.0kH
