N沟道,20V,3.2A,功率MOSFET描述WNM2016是N通道增强型MOS场效应晶体管。 使用先进的沟槽技术和设计,提供卓越的RDS(ON)低栅极电荷。 该设备适合使用在DC-DC转换,电源开关和充电电路。 标准产品WNM2016是无铅的无卤

特征
海沟技术
超高密度电池设计
出色的导通电阻,可提供更高的直流
极低的阈值电压
小包装SOT-23

应用
继电器,电磁铁,电机,LED等驱动器
DC-DC转换器电路
电源开关
负载开关
N沟道,20V,3.2A,功率MOSFET
绝对最大额定值TA = 25°C,
除非另有说明
参数符号10 S稳态单元
漏源电压VDS 20
栅源电压VGS±8V
TA = 25°C 3.2 2.9
连续漏极电流(TJ = 150°C)a
TA = 70℃ ID 2.5 2.3
一个 TA = 25℃0.8 0.7
最大功耗a TA = 70℃ PD
0.5 0.4 w ^TA = 25℃2.9 2.7
连续漏极电流(TJ = 150°C)b
TA = 70℃ ID 2.3 2.1
一个 TA = 25℃0.6±0.5
最大功耗b TA = 70℃ PD 0.4 0.3
w ^脉冲漏极电流c IDM 10 A.
工作结和存储温度范围TJ,Tstg -55至150°C
耐热性评级

参数符号典型最大单位
t 10 s 125 150
结到环境的热阻a
稳定状态
RşJA140175
t 10 s 150 180
结到环境的热阻b
稳定状态
RşJA165210
结至壳体热阻稳态RşJC6076°C / W.