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RFHIC/艾尔福微波器件RFC1G21H4-24

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RFHIC/艾尔福

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RFC1G21H4-24

部分	频率	增益	怒气冲冲	P峰	ACLR与DPD	EFF	VDD	缺碘症	包装	地位
数	(兆赫)	(DB)	(DBM)	(DBM)	(DBC)	(%)	(五)	(Ma)	包装	地位
	1805~1880	31.5	39	46.5	-56	45	31	570	sp-2C
	1930~1995	31.5	39	46.5	-56	45	31	570	sp-2C
	2110~2180	30	39	46.5	-56	45	31	570	sp-2C
	2620~2690	29	39	46.5	-56	45	31	570	sp-2C
	3550~3700	27	36	44.5	-55	38	31	338	sp-3C
	3550~3700	23	42	49.5	-52	39	35	1160	SP-3Cl
	869~894	37	33	41.5	-53	26	28	280	NP-1EL
	1805~1880	33	33	42	-54	25	28	290	NP-1EL
	1805~1880	34	33	41.5	-54	27	5月28日	140/240	NP-1EL
	2110~2170	33	33	42	-55	24.5	28	290	NP-1EL
	2110~2170	32	33	41.7	-55	26	5月28日	140/250	NP-1EL
	2610~2690	30	34	42	-54	25	28	360	NP-1EL
	2610~2690	30	33	41.7	-55	25	5月28日	140/260	NP-1EL
	2650~2750	27	33	42	-54	31	28	450	NP-1EL
	869~894	38	37	45	-53	28	28	630	NP-1EL
	925~960	36	37	45	-53	27	28	650	NP-1EL
	1805~1880	38	37	45	-52	26	28	680	NP-1EL
	1930~1995	38	37	45	-53	26	28	670	NP-1EL
	2110~2170	36	37	45	-53	26	28	680	NP-1EL
	2610~2690	32	37	45	-54	28	28	630	NP-1EL
	773~783	30	34.7	42.2	-53	38	5月30日	190/230	SP-1E
	860~875	30	35.5	43	-53	43	5月30日	200/240	SP-1E
	3520~3560	24	35.1	42.6	-53	38	30	280	SP-1E
	728~768	16	38.5	46.5	-53	45	31	500	NP-8Cl
	1805~1880	16	38.5	46.5	-53	45	31	500	NP-8Cl
	1930~1990	15	38.5	46.5	-53	45	31	500	NP-8Cl
	2100~2170	14	38.5	46.5	-53	45	31	500	NP-8Cl
	2300~2400	14	38.5	46.5	-53	45	31	500	NP-8Cl
	2610~2690	13	38.5	46.5	-53	45	31	500	NP-8Cl
部分	过程类型	频率	增益	神经营养	P1dB	EFF@P1dB	OIP 3	WCDMA	电压	电流	包装	地位
数	过程类型	(兆赫)	(DB)	(DB)	(DBM)	(%)	(DBM)	(DBM)	(五)	(Ma)	包装	地位
	GaAsE-PHEMT	30~2650	14.5	2.7	21	-	38	12	5	110	苏-89
	GaAsE-PHEMT	30~3000	23	3	20	-	35	11	5	100	苏-89
	GaAsE-PHEMT	30~4000	15.2	1.2	20	-	32	8.5	4.5	45	苏-89
	GaAsE-PHEMT	30~2200	22.5	1.6	22	-	37.5	11	5	100	苏-89
	GaAsE-PHEMT	50~3500	15.5	3.5	27	50	39	15	5	140	苏-89
	GaAsE-PHEMT	30~3000	20	2.3	20	-	34	11	5	100	苏-89
	GaAsE-PHEMT	50~3500	13.7	2.9	30	52	48	17	5	300	SOIC-8
	GaAsE-PHEMT	50~3500	11.5	2.3	33	55	43	20	5	390	SOIC-8
	GaAs MESFET	50~3000	13	2.5	24	-	42	15	5	240	SOIC-8
	GaAsE-PHEMT	10~4000	14	0.7	14	-	32	-	3	45	苏-143

部分	类型	频率	电压	输出功率	增益	EFF.@Pavg	ACLR	包装	地位
数	类型	(兆赫)	(五)	(WPIP/Wavg)	(达巴格)	(%)	ACLR	包装	地位
	单株	3480~3520	48	220/50	14.7	34.8	29.6	RF12002KR3
	对偶	3400~3600	48	195/32	14	45.3	26.1	RF12001DKR3
	对偶	3520~3560	48	170/32	14.6	48.3	24.6	RF12001DKR3
	单株	3480~3520	48	165/37	15.3	35.8	27.3	RF12002KR3
	单株	3400~3600	48	110/25	17.1	35.5	27.3	RF12001KR3
	单株	3400~3600	48	85/19	17.3	35.4	30.2	RF12002KR3
	对偶	2620~2690	48	385/69	13.8	53.6	23.7	RF24001DKR3
	对偶	2620~2690	48	330/63	14.2	54.1	22.5	RF24001DKR3
	单株	2620~2690	48	330/79	15.4	39.1	29.2	NS-AS 01
	对偶	2575~2635	48	275/50	14.1	59.4	21.5	RF24001DKR3
	单株	2620~2690	48	220/50	17	41.5	27	NS-AS 01
	单株	2620~2690	48	165/40	16.9	43.1	28.9	NS-AS 01
	对偶	2620~2690	48	316/54	14	50	-25	RF 18001DKR3
	对偶	2575~2635	48	195/32	14.4	53.6	26.6	RF24001DKR3
	单株	2500~2690	48	110/25	19.1	39.6	27.7	NS-AS 01
	单株	2496~2690	48	85/19	20.2	42	26.2	NS-AS 01
	对偶	2300~2400	48	385/63	14.5	55.1	24.6	RF24001DKR3
	对偶	2300~2400	48	330/63	14.6	54.2	23.4	RF24001DKR3
	单株	2300~2400	48	220/50	16.1	42.1	28.4	NS-AS 01
	对偶	2300~2400	48	302/48	13.5	48	-24	RF 18001DKR3
	对偶	2300~2400	48	195/32	15.3	55.8	25.6	RF12001DKR3
	单株	2300~2400	48	110/25	18.2	41	30	NS-AS 01
	对偶	1880~2025	48	468/79	15	54	-27	RF24001DKR3
	对偶	2110~2170	48	385/63	14.6	41	25.5	RF24001DKR3
	对偶	2110~2170	48	330/63	14.8	55.7	29.4	RF24001DKR3
	单株	2110~2170	48	330/79	15.6	39.2	30.2	NS-AS 01
	对偶	2110~2170	48	250/45	15.7	57.1	26.5	RF24001DKR3
	单株	2110~2170	48	220/50	17.4	40	30.8	NS-AS 01
	单株	2110~2170	48	165/37	17.5	39.6	31.9	NS-AS 01
	单株	2110~2170	48	110/25	18.4	38.9	32.7	NS-AS 01
	单株	2110~2170	48	85/19	20.7	43.1	26.6	NS-AS 01
	对偶	2110~2170	48	83/15	16.2	57.1	30.3	RF12001DKR3
	对偶	2110~2170	48	十月-五十六	17.2	54.8	25.3	RF12001DKR3
	对偶	1805~1880	48	316/38	14.5	51	-25	RF 18001DKR3
	单株	1820~2180	48	220/50	16.6	38.2	24.6	RF12001KR3
	对偶	1880~2025	48	195/32	16.9	49.9	27.8	RF12001DKR3
	对偶	1880~2025	48	170/30	17	48.9	25.6	RF12001DKR3
	对偶	1805~1880	48	468/79	54	54	-25	RF24001DKR3
	对偶	1805~1880	48	385/63	15.1	56.2	25.8	RF24001DKR3
	对偶	1805~1880	48	330/63	15.5	57.7	25.2	RF24001DKR3
	单株	1805~1880	48	330/74	15.8	40	31.9	NS-AS 01
	对偶	1805~1880	48	331/50	13.5	13.5	-23	RF 18001DKR3
	对偶	1805~1880	48	250/45	16.7	58.2	26.7	RF24001DKR3
	单株	1805~1880	48	220/50	18.1	40.9	30.3	NS-AS 01
	单株	1805~1880	48	165/37	18.3	39.2	31	NS-AS 01
	单株	1805~1880	48	110/25	18.9	38.2	29.2	NS-AS 01
	对偶	1805~1880	48	110/25	15.4	54.8	28.5	RF12001DKR3
	单株	1805~1880	48	85/19	18.9	36.6	31.5	RF12002KR3
	对偶	869~894	48	330/63	20.5	57.9	26.4	RF24001DKR3
	单株	770~870	48	330/79	21	41.6	30.6	NS-AS 01
	对偶	869~894	48	220/35	20.7	57.9	25.7	RF12001DKR3
	单株	758~858	48	220/50	22	38.9	29.4	NS-AS 01
	对偶	869~894	48	195/32	20.6	61.8	27.4	RF12001DKR3
	单株	770~900	48	165/37	20.9	39.8	33.3	NS-AS 01
	单株	884~894	48	110/25	21.8	39.4	29.9	NS-BS 01
	单株	DC~6000	48	14/3.2	17.5@2.6GHz	35.2	37.3	NS-CS 01
	单株	DC~6000	48	28/6.3	17.6@2.6GHz	29.7	37.1	NS-CS 01
	单株	DC~6000	48	55/12.6	15.7@2.6GHz	34.1	36.5	NS-CS 01
	单株	DC~6000	48	14/3.2	18.5@2.6GHz	35.2	31.3	DFN66726L-Q2
	单株	DC~6000	48	28/6.3	18.7@2.6GHz	33.8	33	DFN66726L-Q2
	单株	DC~4000	28	45(山顶)	14@2.5GHz	55	-	RF 06001KR3
	单株	DC~4000	28	45(山顶)	14@2.5GHz	55	-	及NS-BS01P1
	单株	DC~3000	28	120(山顶)	15.5@1.3GHz	60	-	RF 06001KR3
	单株	DC~3000	28	120(山顶)	15.5@1.3GHz	60	-	及NS-BS01P1
	单株	DC~6000	50	30/7.1	18.7@2.6GHz	39.7	30.4	NS-CS 01
	单株	DC~6000	50	60/14.1	17.0@2.6GHz	37.5	31.7	NS-CS 01
连接功率放大器
部分	频率	带宽	增益	怒气冲冲	峰值功率	EFF	维数	地位
数	(兆赫)	(兆赫)	(DB)	(DBM)	(DBM)	(%)	(毫米)	地位
	1805~1880	75	55	49	56.2	42	170x100x20
	2110~2170	60	44.5	44.5	52	43	125x90x20
	2110~2170	60	47.5	47.5	55	42	150x90x20
	2110~2170	75	55	49	56.2	42	170x100x20
	2620~2690	70	47.5	47.5	55	42	150x90x20
	2620~2690	70	55	49	56.2	42	170x100x20
	2110~2170	60	45	44.8	52	48	100x50x20
部分	频率	增益	神经营养	P1dB	OIP 3	VDD	缺碘症	包装	地位
数	(兆赫)	(DB)	(DB)	(DBM)	(DBM)	(五)	(Ma)	包装	地位
	824~894	19	0.5	14	27	5	65	CP-16A
	890~960	18	0.5	14	27	5	65	CP-16A
	824~894	20.5	0.7	20	31	5	100	CP-16A
	890~960	20	0.7	20	31	5	100	CP-16A
	1400~1600	16	0.7	15	27	5	45	CP-16A
	1400~1600	17	0.6	21	33	5	90	CP-16A
	1700~2200	15.5	0.6	16	27	5	45	CP-16A
	1700~2000	16	0.6	21	33	5	100	CP-16A
	1850~2200	14	0.7	16	27	5	45	CP-16A
	1850~2200	15	0.6	20	33	5	100	CP-16A
	1750~2600	14.5	0.7	20	33	5	100	CP-16A
	2300~2700	12	0.9	16	28	5	45	CP-16A
	2700~3100	10.5	0.9	16	28	5	45	CP-16A
	2300~2700	12.5	0.9	20	33	5	100	CP-16A
	2700~3100	11.5	0.9	20	33	5	100	CP-16A
	3100~3600	10	1	15	31	5	45	CP-16A
	3100~3600	10.5	1	21	36	5	100	CP-16A
	2110~2170	24.5	0.9	20	35	5	150~190	CP-16B
	1920~2170	24.8	0.8	21	42	5	180~240	CP-16B
	2200~2400	21.5	0.9	20	35	5	150~190	CP-16B
	2300~2400	22	1	20	41	5	180~240	CP-16B
	2500~2700	20.5	1	20	34	5	150~190	CP-16B
	2300~2700	20.5	1	20	40	5	180~240	CP-16B
	2900~3400	20.5	1.1	21	42	5	180~240	CP-16B
	2700~3800	21	1.4	27	39	5	190~250	CP-16B
	3400~3600	19	1.2	21	42	5	180~240	CP-16B
	3600~3800	18.5	1.3	21	42	5	180~240	CP-16B
部分	频率	插入损耗	十点。范围	回波损失	平直度	VDD	VctL	缺碘症	包装	地位
数	(兆赫)	(DB)	(DB)	(DB)	(DB)	(五)	(五)	(Ma)	包装	地位
	50~3000	3	30@1~2 GHz	-15	+0.5, -0.5	5	0~10	40	希-46
	100~3000	2	27@1~2 GHz	-15	+0.5, -0.5	3	0~12	34	希-46
	100~3000	3	27@1~2 GHz	-15	+0.5, -0.5	3	0~4.5	10	希-46
	3000~4000	2.2	17@3.5GHz	-16	+0.5, -0.5	3	0~10	30	希-46

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