简介：
本公司利用低压CVD技术（LPCVD），在0.1Pa真空度的高纯气氛环境下生长出高质量石墨烯，我们提供的高质量石墨烯存在于铜箔的两侧，且两层石墨烯具有相同的质量。满单层石墨烯薄膜存在跨铜晶界生长。是您选择科研材料的绝佳选项。


定制服务：
对于不同科研的需求，本公司采用湿法转移法可将铜基石墨烯转移到二氧化硅基、蓝宝石基或其他定制基底。转移手法娴熟，保证转移后石墨烯的高质量。


储存：
石墨烯薄膜的保存应置于干燥箱内，可保证石墨烯在长时间内无降解现象。高质量满单层石墨烯在干燥环境下几乎不会有任何变化。


表征图像：
拉曼光谱表征图，石墨烯三个重要峰，D峰泛指缺陷峰，较低的峰强度反应了石墨烯质量的完美；G峰为sp2杂化碳原子峰，2D峰包含了石墨烯层数的信息，该峰尖锐且强度为G峰2倍以上，是高质量单层石墨烯的明显标志。


参数：
层数：满单层
尺寸：1cm*1cm、2cm*2cm、定制尺寸
基底：铜基、二氧化硅基、蓝宝石基、定制基底


应用领域：
石墨烯由于超高的载流子迁移率，可以用于电子器件，导电涂层领域，优越的光学性能可用于化学和生物传感器，另外可也应用于航空航天、辅助催化剂和异质结中等领域。


参考文献：
[1] X Wan et al., Towards wafer-size strictly monolayer graphene on copper via cyclic atmospheric chemical vapor deposition, Carbon Volume 110, December 2016, Pages 384-389.
[2] Hyo Chan Lee et al. Facet‐Mediated Growth of High‐Quality Monolayer Graphene on Arbitrarily Rough Copper Surfaces, Adv. Mater. 2016, 28, 2010–2017.