SI2312  N沟道增强型功率MOSFET

该SI2312采用先进的沟槽技术，提供优良的RDS（ON），低闸极电压为2.5V低栅极电荷和操作。本装置适用于电池保护或其它开关中的应用。
总体特征
●VDS = 20V，ID = 4.5A
RDS（ON）< 40mΩ@ VGS = 2.5V
RDS（ON）< 33mΩ@ VGS = 4.5V
●高功率和电流处理能力
●无铅产品获得
●表面贴装封装
应用
●电池保护
●负荷开关
●电源管理

什么是MOS管：

MOS管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管。或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。

　　双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后，在输出端输出一个大的电流变化。双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比（beta）。另一种晶体管，叫做（FET），把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的transconductance，定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。

　　场效应管的名字也来源于它的输入端（称为gate）通过投影一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体，所以FET管的GATE电流非常小。最普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管，或,金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。因为MOS管更小更省电，所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。