带预热的等离子体化学气相沉积系统PECVD-TF1200-150II-SL-LV-150S-T10
一、设备示意图
二、设备介绍
本设备是由本公司自主研发，具有国家发明专利的高端PECVD系统。
特点：与传统CVD系统比较，生长温度更低；使用滑轨炉实现快速升温和降温，沉积速度快；设备特有的专利技术使得整管辉光均匀等效，均匀生长，成膜质量好，不易龟裂。
用途：可在片状或类似形状样品表面沉积SiOx、SiNx、非晶硅、微晶硅、纳米硅、SiC、类金刚石等多种薄膜，并可沉积p型、n型掺杂薄膜。沉积的薄膜具有良好的均匀性、致密性、粘附性、绝缘性。
三、主要参数
加 热 炉 | 额定功率：4 Kw 额定电压：AC220V，50/60 Hz 最高温度：1200℃ 使用温度：≤1100℃ 升温速率：≤30℃/min 控温精度：±1℃ 加 热 区：400（200+200）mm 恒 温 区：200 mm 加热元件：电阻丝 热 电 偶：N型 控温方式：模糊PID控制和自整定调节，智能化30段可编程控制，具有超温和断偶报警功能。 |
预 热 炉 | 额定功率：2 Kw 额定电压：AC220V，50/60 Hz 最高温度：500℃ 使用温度：400℃ 升温速率：≤30℃/min 控温精度：±1℃ 加 热 区：200 加热元件：电阻丝 热 电 偶：N型 控温方式：智能化30段可编程控制 |
射频电源 | 信号频率：13.56MHz±-0.005% 射频功率输出范围：5W-500W 最大反射功率：200W 射频输出接口：50Ω。N-type,female 功率稳定度：±0.1% 谐波分量：≤-50dbc 供电电压：单相50/60Hz 220v±10% 整机效率：>=70% 功率因素：>=90% 冷却方式：强制风冷 |
真空系统 | 额定功率：1 Kw 额定电压：220V±10% 50~60HZ 抽气速率：10m³/H 极限真空：1.0X10-1Pa 油 容 量：1.1L 进气口径：KF25 排气口径：KF25 转 速：1450rpm |
供气系统 | 连接头类型：双卡套不锈钢接头。 标准量程：50sccm、100sccm、200sccm、500sccm、1000sccm等可选。 标准气体：N2、Ar、H2、CH4等可选。 精准度：±1.5% 响应时间：气特性：1～4 Sec，电特性：10 Sec 工作压差范围：0.1～0.5 MPa；最大压力：3MPa 接口：Φ6,1/4''；4位数显； 工作环境温度:5~45高纯气体 内外双抛不锈钢管：Φ6 压力真空表：－0.1～0.15 MPa；截止阀：Φ6 |
四、服务支持
1.免费送货（不含卸货）；
2.免费上门安装、调试、培训；
3.免费设备技术支持；
4.质保12个月，易损件除外。
