浩辉微10N60：N沟道增强型硅栅功率MOSFET适用于高电压、高速度的功率开关应用，如高效率的开关电源。电源，有源功率因数校正，电子镇流器基于半桥式，以消光。

1、RDS(on)=0.6Ω@VGS=10V

2、低门电荷（典型的44nC）

3、快速交换能力

4、雪崩能量指定值

5、改进的dv/dt能力

产品型号：10N60

产品封装：TO-220F，TO-220

工作方式：9.5A/600V

漏源极电压：600V

栅源电压：±30V

漏电流脉冲：38*A

结温：+150℃

贮存温度-55℃至+150℃

场效应管TO-220F塑封还有以下型号：

深圳市浩辉微电子有限公司成立于2008年，是一家专业研发、生产、销售半导体分立器件及IC的高新技术企业，隶属台湾浩辉科技集团旗下公司。

    主营产品有贴片二、三极管，整流桥堆，高、低压MOSFET(场效应管），可控硅，三端稳压IC,电源管理IC等系列产品，广泛应用于开关电源、LED电源、移动电源、电源适配器、各种充电器、网络通讯、仪器仪表、灯饰照明、家电控制板、电动车控制板、电动玩具、机顶盒、安防、数码产品、汽车电子产品等众多领域。   

长期以来浩辉微电子有限公司一贯坚持“客户至上、品质卓越、价格公道、合作共赢”的企业发展宗旨，本着始终满足客户需求，积极倡导“创新、质量、诚信、服务”的企业经营理念，实现全体员工齐参与、持续改善、客户满意的质量方针，我们将通过不断的努力，为更多的客户提供更加优质的产品和服务，与您共创美好的未来！