概述
PN8680M集成超低待机功耗原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电 

器、适配器和内置电源。PN8680M为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损 

耗（230VAC）小于50mW。在恒压模式，采用多模式技术提高效率并消除音频噪声，使得系统满足6级能效标准，可调 

输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率；在恒流模式，输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。该芯片提 

供了极为全面的智能保护功能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保

护 等。

应用领域
■  开关电源适配器 

■  电池充电器 

■  机顶盒电源 产品特征
■   内置650V高雪崩能力智能功率MOSFET 

■   内置高压启动电路，小于50mW空载损耗（230VAC） 

■   采用多模式技术提高效率，满足6级能效标准

 ■   全电压输入范围±5%的CC/CV精度 

■   原边反馈可省光耦和TL431 

■   恒压、恒流、输出线补偿外部可调 

■   无需额外补偿电容 

■   无音频噪声 

■   智能保护功能  过温保护 (OTP)  VDD欠压&过压保护 (UVLO&OVP)  逐周期过流保护 (OCP)  CS开/短路保护 (CS O/SP）  开环保护 (OLP)

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