PN7726是一款用于无线充电的智能功率芯片。
该芯片集成了驱动及四颗高效功率级场效应管，
内置自举高压PMOS，内置5V/50mA LDO，具有
自适应死区功能。该芯片还集成了超低待机功耗
模式、欠压保护、过温保护和过流保护等功能。
芯片采用QFNFC3×3、SOP8-PP封装，底部通过
散热片来提高散热性能。
PN7726是一款用于无线充电的智能功率芯片。
该芯片集成了驱动及四颗高效功率级场效应
管，内置自举高压 PMOS ，内置 5V/50mA
LDO，具有自适应死区功能。该芯片还集成了
超低待机功耗、欠压保护、过温保护和过流保
护等功能。
1. 超低待机功耗（SOP8-PP封装无此功能）
PN7726具有超低待机功耗睡眠，当EN为低电平
或浮置状态时，芯片处于超低待机功耗模式，
流过电源VDD的电流小于10uA，此时芯片内部
的所有电路都停止工作。当EN信号变为高电平
后，芯片退出超低待机功耗模式。
2. 欠压保护
PN7726提供欠压保护功能。当芯片的VDD电压
降低到小于欠压保护的阈值电压时，芯片会关
闭输出以及输出级的四个功率管，直到VDD电
压大于欠压保护的阈值电压后，芯片重新正常
工作。
3. 内置5V/50mA LDO
PN7726 内置了 5V LDO 功能，输出管脚为
VCC，以实现对MCU供电及过充保护，精简外
围。LDO的负载调整率、输入调整率和温度特
性详见特征曲线。
4. 振荡器
PN7726集成了自适应死区功能，该功能保证了
芯片工作在任何状态下，每一路的输出级功率
管都不会同时导通，可以避免上下管同时导通
而损坏芯片的情况。
芯片工作时，当PWM由“H”变为“L”时，
芯片先关闭输出级上管，内部检测电路检测到
输出级上管关闭后，经过一个设定好的死区时
间，再将输出级下管打开；PWM由“L”变为
“H”的情况则相反。
5. 集成自举高压PMOS
PN7726内置两个自举高压PMOS，无压降损耗
自举结构。芯片上电后，当PWM1/PWM2为“L”
时，自举高压管PMOS1/PMOS2 打开，此时
VCC对BS1/BS2电容充电；当PWM1/PWM2为
“H”时，自举高压管PMOS1/PMOS2关闭，
BS1/BS2电容存储的能量用于驱动上功率管，
如此反复工作就形成了一个自举电路
