ICP 刻蚀机 ：高密度等离子蚀刻装置NE-550

 

 

特点：

等离子密度与向基板入射的能量能够单独控制，因此Process window宽。

均一性好。

离子性蚀刻到radical性蚀刻都能都大幅度控制。

构造简单，维护性能优越。

来自半导体技术研究所的工艺支持体制。

CS（Customer’s Support ）解决方案的综合服务体制。

可选Cassette室，提高生产量。

丰富的Process Application：

1.ISM: Inductively Super Magnetron有磁场ICP型

2.ISM是可以由低电源得到稳定均一的放电，达到Damage最少的蚀刻。

3.使用不挥发性材料的次时代memory‐Al2O3,磁性体，Pt, Ir, PZT, SBTO 等

4.超高频率器件，光器件。

‐绝缘膜，GaAs/AlGaAs(In),AlGaInP,InP,SiC,ZnSe, Sapphire，GaN，STO/Pt, Au/Pt, W, WSi, Ti, Mo, Ta, BCB, Polyimide，BST, STO

5.各种传感器器件等Photo Nic结晶。

6.MEMS(micromachine）

装置构成	L/L室+蚀刻室	特征	静磁场配置的最贴切性
蚀刻方式	ISM(有磁场ICP)	ULVAC专利	高密度化与均一性控制

量产用刻蚀设备NE-5700/NE-7800


量产用刻蚀设备NE-5700/NE-7800是可以对应单腔及多腔、重视性价比拥有扩展性的刻蚀设备。


产品特性 / Product characteristics
 除单腔之外，另可搭载有磁场ICP（ISM）或NLD等离子源、去胶腔体、CCP腔体等对应多种刻蚀工艺。
为实现制程再现性及安定性搭载了星型电极及各种调温技能。
拥有简便的维护构造，实现downtime最短化，提供清洗、维护及人员训练服务等综合性的售后服务体制。
专门的半导体技术研究所会提供万全的工艺支持体制。
 
产品应用 / Product application
化合物（LED或LD、高频器件）或Power device（IGBT配線加工、SiC加工）。
金属配线或层间绝缘膜（树脂类）、门电极加工工艺
强电介质材料或贵金属刻蚀。
磁性体材料加工。




高密度等离子刻蚀装置ULHITETM NE-7800H




高密度等离子客户装置ULHITE NE-7800H是对应刻蚀FeRAM、MRAM、ReRAM、PCRAM等器件所用的高难度刻蚀材料（强电介质层、贵金属、磁性膜等）的Multi-Chamber型低压高密度等离子刻蚀设备。




产品特性 / Product characteristics
有磁场ICP（ISM）方式-可产生低圧・高密度plasma、为不挥发性材料加工的专用设备。
可提供对应从常温到高温（400ºC）的层积膜整体刻蚀、硬掩膜去除的刻蚀解决方案。
通过从腔体到排气line、DRP为止的均匀加热来防止沉积物。
该设备采用可降低养护清洗并抑制partical产生的构造和材料及加热机构，是在不挥发性材料的刻蚀方面拥有丰富经验的量产装置。
实现了长期的再现性、安定性
 
产品应用 / Product application
   FeRAM, MRAM, ReRAM, CBRAM, PcRAM等.




研究开发向NLD干法刻蚀设备NLD-570


研究开发向NLD干法刻蚀设备NLD-570，是搭载了爱发科独创的磁性中性线（NLD- neutral loop discharge）等离子源的装置，此NLD技术可实现产生低压、低电子温度、高密度的等离子。


产品特性 / Product characteristics
  NLD用于与ICP方式相比更低压、高密度、更低电子温度等离子体的石英、玻璃、水晶、LN/LT基板的加工。
 高硬玻璃、硼硅酸玻璃等不纯物的多种玻璃加工，在形状或表面平滑性方面有优异的刻蚀性能。
 石英及玻璃作为厚膜resist mask时的也可实现深度刻蚀（100μ m以上）。
 可实现高速刻蚀（石英＞1μ m/min、Pyrex＞0.8μ m/min）
 可追加cassette室。
 
产品应用 / Product application
  光学器件（光衍射格子、変调器、光开关等等）、凹凸型微透镜。流体路径作成或光子学结晶。






干法刻蚀设备 APIOS NE-950EX
对应LED量产专用的干法刻蚀设备｢NE-950EX｣相对我司以往设备实现了140%的生产力。是搭载了ICP高密度等离子源和爱发科独自开发的星型电极的干法刻蚀设备。


产品特性 / Product characteristics
  4inch晶圆可放置7片同时处理，6inch晶圆可实现3片同时处理，小尺寸晶圆方面，2inch晶圆可实现29片、3英寸可对应12片同时处理。
 搭载了在化合物半导体领域拥有600台以上出货实绩的有磁场ICP（ISM）高密度等离子源。
 高生产性（比以前提高140%）。
  为防止RF投入窗的污染待在了爱发科独自开发的星型电极。
 彻底贯彻Depo对策，实现了维护便利、长期稳定、高信赖性的硬件。
 拥有丰富的工艺应用的干法刻蚀技术（GaN蓝宝石、各种metal、ITO、SiC、AlN、ZnO、4元系化合物半导体）。
 丰富的可选机能。 
 
产品应用 / Product application
对应LED的GaN、蓝宝石、各种金属、ITO等的干法刻蚀设备


对应光学器件、MEMS制造的干法刻蚀装置NLD-5700


对应光学器件、MEMS制造的干法刻蚀装置NLD-5700是搭载了磁性中性线（NLD- neutral loop discharge）等离子源的量产用干法刻蚀装置。（此爱发科独创的NLD技术设备可实现产生低压、低电子温度、高密度的等离子）


产品特性 / Product characteristics
 •      在洁净房内作业可扩张为双腔。（可选配腔室：NLD、有磁场ICP、CCP或者去胶室）
• NLD为时间空间可控的等离子，因此设备干法清洁容易。
• 腔体维护简便。
• 从掩模刻蚀到石英、玻璃刻蚀，可提供各类工艺解决方案。
• 专门的半导体技术研究所会提供万全的工艺支持体制。
 
产品应用 / Product application
• 光学器件（折射格子、光波导、光学开关等等）、凹凸型微透镜。
• 流体路径作成或光子学结晶。






批处理式自然氧化膜去除设备 RISE-300
批处理式自然氧化膜去除设备RISETM-300是用于去除位于LSI的Deep-Contact底部等难以去除的自然氧化膜的批处理式预清洗装置。可处理200mm，300mm尺寸晶圆。


产品特性 / Product characteristics
• 高产率以及低CoO
• 良好的刻蚀均一性（小于±5%/批）和再现性
• 干法刻蚀
• Damage-Free（远端等离子、低温工艺）
• 自对准接触电阻仅为湿法的1/2
• 灵活的装置布局
• 高维护性（方便的侧面维护）
• 300mm晶圆批处理：50枚/批
 
产品应用 / Product application
• 自对准接触形成工艺前处理
• 电镀工艺前处理
• 晶膜生长前处理
• Co/Ni自对准多晶硅化物的前处理