说明
MOS管场效应管AO3401A采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS(ON)，低栅极电荷和低至2.5 V 的工作栅极电压。 该器件适合用作负载开关或其他通用应用。
产品概要VDS -30V
ID (at VGS=-10V) -4.0A
RDS(ON) (at VGS=-10V) < 50mΩ
RDS(ON) (at VGS =-4.5V) < 60mΩ
RDS(ON) (at VGS=-2.5V) < 85mΩ
MOS管场效应管AO3401A参数品牌：AOS
型号：AO3401A
批号：19+
封装：SOT-23
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.5V，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：1.3V@250µA
系列：-
湿气敏感性等级（MSL）：1（无限）
供应商器件封装：SOT-23-3L
栅源电压 Vgss：±12V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：4A（Ta）
漏源极电压（Vdss）：30V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET类型：P沟道
制造商标准提前期：16 周
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
安装类型：表面贴装(SMT)
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：44毫欧@4.3A，10V
功率耗散（最大值）：1.4W（Ta）
FET功能：-
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：1200pF@15V
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：12.2nC@4.5V
