IMP3225，IMP3226，IMP3227，IMP3228是一款高压，高速MOSFET和IGBT驱动器，具有非独立的高压侧和低压侧参考输出通道，防止两个通道同时开启。专有的高压侧工艺和抗闩锁CMOS技术使集成电路具有很高的可靠性。逻辑输入与标准的CMOS输出或者LSTTL输出兼容，最低可至3.3V。在输出驱动级，具有为最小化驱动级的交叉传导专门设计的高脉冲电流缓冲级。在工作电压高至200V的高压侧，浮动通道可用来驱动N沟道功率MOSFET或IGBT。
主要特性：
● 为自举工作模式设计的浮动通道 
● 工作电压可以高达+200V 
● 10-20V的栅极驱动电压范围 
● 内置欠压锁定保护 
● 兼容3.3V，5V及15V逻辑电平输入 
● 两个输出通道的传播延时互相匹配 
● 高压侧（HO）逻辑输入，同相（IMP3225/3226）；高压侧（HO）逻辑输入，反相（IMP3227/3228） 
● 低压侧（LO）逻辑输入，同相（IMP3226/3228）；低压侧（LO）逻辑输入，反相（IMP3225/3227） 
● 8-Lead PDIP&SOP封装 
● 符合Rohs标准

应用领域：
● 电机驱动 
● 其他栅极功率管驱动 
典型应用： 

绝对最大额定参数

绝对最大额定值表示设备可能受到的持续的损坏限度发生。所有的电压参数都是参考COM的绝对电压。的热阻并测量了板式和静止空气条件下的功率损耗额定值。

VB高侧浮动绝对电压-0.3 -225V
VS高侧浮置电源偏置电压VB-25 VB+0.3
VHO高侧浮动输出电压VS-0.3 VB+0.3
VLO低侧输出电压-0.3 Vcc+0.3
低压侧和逻辑固定电源电压-0.3 25 V
VIN逻辑输入电压(HIN & LIN) -0.3 Vcc+0.3 V
允许偏置电源电压暂态- 50v /ns
PD
封装功耗@ TA≤+25°C,DIP-8
封装功耗@ TA≤+25°C,SOIC-8 0.625W
RthJA
热电阻，连接到环境，倾角8 125°C / W
热电阻，连接到环境，SOIC-8 200°C / W
结温-25 125℃
储存温度℃-55 150℃
TL铅温(焊接，10秒)300℃

推荐的操作条件:

输入/输出逻辑时序图如图1所示。为了正确操作，设备应该在推荐的条件下使用。VS偏移评级是测试所有供应偏在
15 v微分