用途：
高纯钨靶和高纯钨钛合金靶、钨硅复合靶材通常被施以磁控溅射的方式制作各种复杂和高性能的薄膜材料。由于高纯钨或超纯钨（5 N或6 N）具有对电子迁移的高电阻、高温稳定性以及能形成稳定的硅化物，在电子工业中常以薄膜形式用作栅极、连接、过渡和障碍金属。超高纯钨及其硅化物还用于超大规模集成电路作为电阻层、扩散阻挡层等以及在金属氧化物半导体型晶体管中作为门材料及连接材料等。钨钛合金溅射靶材常用于制作薄膜系太阳能电池的过渡金属层。
规格：
名称 | 分子式 | 规格 | 尺寸 | 相对密度 | 晶粒度 | 缺陷率 |
纯钨靶 | W | 4N（99.99%） | 英寸 | 毫米 | ≥99% | ≯50µm | 0 |
5N（99.999%） | D（6,8,10,12） H（0.25,0.5,0.75） | 径150～350 厚度6～25 |
钨钛靶 | WTi10 | 4N（99.99%） | ≥99% | ≯50µm | 0 |
4N5（99.995%） |
化学成分
规格等级 化学指标 | W/(W+Ti)≥99.99% | W/(W+Ti)≥99.995% | W≥99.999% |
痕量杂质总和 | ≯100 ppm | ≯50 ppm | ≯10 ppm |
杂质指标(ppm) | 最大值 | 典型值 | 最大值 | 典型值 | 最大值 | 典型值 |
放射性元素 | U | — | 0.2 | 0.1 | 0.05 | 0.0008 | 0.0005 |
Th | — | 0.2 | 0.1 | 0.05 | 0.0008 | 0.0005 |
碱金属元素 | Li | 1 | 0.05 | 0.02 | 0.01 | 0.01 | 0.003 |
Na | 5 | 1 | 0.5 | 0.2 | 0.1 | 0.05 |
K | 5 | 1 | 0.1 | 0.05 | 0.05 | 0.03 |
Mo，Re | 10 | 5 | 10 | 5 | 1 | 0.5 |
Fe，Cr | 10 | 5 | 5 | 3 | 0.5 | 0.3 |
Ca，Si，Cu，Ni，Al，Zn，Sn，Mn，Co，Hg，V | 2 | 1 | 0.5 | 0.3 | 0.2 | 0.2 |
P，As，Se | 2 | 1 | 0.5 | 0.2 | 0.2 | 0.2 |
B，Pb，Sb，Be，Ba，Bi，Cd，Ge，Nb，Pt，Mg，Zr，Au，In，Ga，Ag | 1 | 0.5 | 0.5 | 0.1 | 0.1 | 0.1 |
其它所有单个元素 | 1 | 0.5 | 0.5 | 0.1 | 0.1 | 0.1 |
气体分析 （≯，ppm） | O | C | N | H | S |
30 | 20 | 20 | 20 | 10 |
根据使用目的不同，对高纯钨靶和钨钛靶杂质含量有不同要求，一般要求化学纯度在99.99%～99.999%之间，我们也可根据用户要求特别定制适合应用的其它规格。
