功能概要
高密度NAND闪存
最高1 Gbit内存阵列
高达32 Mbit的备用区
经济高效的大容量存储解决方案
应用领域
NAND接口
x8或x16总线宽度
复用地址/数据
所有密度的引脚排列兼容性
电源电压
1.8V器件：VDD = 1.7至1.95V
3.0V器件：VDD = 2.7至3.6V
页面大小
x8设备：（512 + 16备用）字节
x16装置：（256 + 8备用）字
块大小
x8设备：（16K + 512备用）字节
x16设备：（8K + 256个备用）字
页面读取/程序
随机存取：12µs（最大值）
顺序访问：50ns（分钟）
页面编程时间：200µs（典型值）
复制程序模式
快速页面复制，无需外部缓冲
快速擦除
块擦除时间：2ms（典型值）
状态注册
电子签名
启用“不关心”选项
与微控制器的简单接口
序列号选项
硬件数据保护
电源转换期间程序/擦除被锁定
数据的完整性
100,000个编程/擦除周期
十年数据保留
符合RoHS
符合无铅组件
符合RoHS指令
开发工具
纠错码软件和
硬件型号
坏块管理和磨损
调平算法
文件系统OS本机参考软件
硬件仿真模型
概述
NAND闪存528字节/ 264字页是
使用以下非易失性闪存系列
单级单元（SLC）NAND单元技术。
它被称为Small Page系列。德
恶习的范围从128Mbits到1Gbit并能运行
使用1.8V或3V电源。的大小
一个页面是528字节（512 + 16备用）或264
字数（256 + 8个备用字），具体取决于是否
设备的总线宽度为x8或x16。
地址线与数据输入多路复用
将信号输出/输出到多路x8或x16 In-
放置/输出总线。该接口减少了引脚
计数，并有可能迁移到其他
密度而不改变尺寸。
每个块都可以编程并擦除
100,000个周期。延长NAND的使用寿命
强烈建议您使用Flash设备
错误校正码（ECC）。写
保护引脚可用于提供硬件保护
禁止编程和擦除操作。
该器件具有开漏就绪/忙碌状态
可以用来识别程序/
擦除/读取（P / E / R）控制器当前处于活动状态。
使用漏极开路输出可使Ready /
多个存储器中的繁忙引脚要连接
到一个上拉电阻。
可使用Copy Back命令来优化
缺陷块的管理。当一页
程序操作失败，数据可以
无需重新
发送要编程的数据
