【FDN360P 场效应管 SSOT-3 P-CH -30V MOSFET】价格_厂家

品牌

ON

型号

FDN360P

类型

场效应管

用途

快速开关的低压和电池供电应用

材质

硅

外形尺寸

2.9*1.4*1.12mm

加工定制

非加工定制

通道数量

1 Channel

Vds-漏源极击穿电压:

30 V

Id-连续漏极电流:

2 A

Rds On-漏源导通电阻:

63 mOhms

Qg-栅极电荷:

9 nC

1.FDN360P
单P通道PowerTrench
MOSFET概述
这款P通道逻辑电平MOSFET使用安森美半导体先进的功率沟道工艺生产，该工艺经过专门设计以最大程度地降低导通电阻，并保持低栅极电荷，以实现出色的开关性能。这些器件非常适合需要低串联电源损耗和快速开关的低压和电池供电应用。
•–2 A，–30 V.RDS（ON）= 80mΩ@ VGS = –10 VRDS（ON）= 125mΩ@ VGS = –4.5 V
•高功率版本的行业标准SOT-23封装。与SOT-23引脚相同，功率处理能力提高30％。 GDSSuperSOT -3TMDSGA绝对最大额定值TA = 25oC（除非另有说明）符号参数额定值单位VDSSD漏源电压–30V VGSSG漏源电压±20V ID漏电流–连续（注1a）–2A –脉冲–10单操作功耗（注1a）0.5PD（注1b））0.46 W TJ，TST运放和存储结温范围–55至+ 150°C散热特性RθJA热阻，结至环境（注1a）250°C /WRθJC结线，至结壳（注1）75°C / W包装标记和订购信息设备标记设备卷盘尺寸卷带宽度数量360 FDN360P7英寸8mm 3000单位FDN360P
•低栅极电荷（典型值为6.2 nC）
•高性能沟槽技术，可实现极低的RDS（ON）
•这些设备无铅且符合RoHS要求