1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.
KRI 霍尔 eH 200
上海伯东代理美国原装进口 KRI 霍尔 eH200 是霍尔型 eH 系列中尺寸最小, 低成本设计离子源. 霍尔 eH200 适用于小型真空腔内, 例如研发分析, 薄膜沉积和离子清洗. 霍尔 eH200 操作简单是理想的生产工具.
KRI 霍尔 eH 200 技术参数:
型号 | eH 200 |
供电 | DC magnetic confinement |
- 电压 | 40-300V VDC |
- 离子源直径 | ~ 2 cm |
- 阳极结构 | 模块化 |
电源控制 | eHx-3005A |
配置 | - |
- 阴极中和器 | Filament or Hollow Cathode |
- 离子束发散角度 | > 45° (hwhm) |
- 阳极 | 标准或 Grooved |
- 水冷 | 无 |
- 底座 | 移动或快接法兰 |
- 高度 | 2.0' |
- 直径 | 2.5' |
-加工材料 | 金属 电介质 半导体 |
-工艺气体 | Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors |
- 安装距离 | 6-24” |
- 自动控制 | 控制4种气体 |
* 可选: 可调角度的支架; Filamentless; Sidewinder
KRI 霍尔 eH 200 应用领域:
溅镀和蒸发镀膜 PC
辅助镀膜(光学镀膜)IBAD
表面改性, 激活 SM
直接沉积 DD
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