二氧化硅薄膜的制备方法很多，如热氧化生长法、掺氯氧化法、热分解淀积法日本HD真空蒸馏谐波CSF-11-30-2A-R、溅射法、真空蒸发法、外延生长法和阳极氧化法等。生产上常用的是热氧化生长法、掺氯氧化法、热分解淀积法三种。

1、热氧化生长法

把清洗干净的硅衬底置于高温下，并且通入氧气气氛，使衬底表日本HD真空蒸馏谐波CSF-11-30-2A-R面的一层硅氧化成二氧化硅。其又分为干氧氧化、水汽氧化、湿氧氧化和氢氧合成氧化等几种不同工艺。

1）干氧氧化

在高温下用干燥纯净的氧气直接与硅片外表面的原子反应生成二氧化硅。其反应方程式为：Si+O₂=SiO₂。

氧化过程中，已形成的二氧化硅层阻止了氧原子与硅表面的直接接触，日本HD真空蒸馏谐波CSF-11-30-2A-R氧分子以扩散方式通过二氧化硅层到达二氧化硅—硅界面与硅原子发生反应，生成新的二氧化硅层使二氧化硅不断增厚