Cr:YAG
Cr4+:YAG 晶体是大量用于1μm钕和镱激光器的被动Q开关晶体。具有Q开关输出效率高、适合重复频率工作等特点。其抗光损伤阈值高，比染料和色心可饱和吸收体稳定、耐用，在某些情况下可替代电光Q开关输出高功率激光脉冲。
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Cr4+:YAG 晶体是大量用于1μm钕和镱激光器的被动Q开关晶体。具有Q开关输出效率高、适合重复频率工作等特点。其抗光损伤阈值高，比染料和色心可饱和吸收体稳定、耐用，在某些情况下可替代电光Q开关输出高功率激光脉冲。具有Q开关输出效率高、适合重复频率工作等特点。其抗光损伤阈值高，比染料和色心可饱和吸收体稳定、耐用，在某些情况下可替代电光Q开关输出高功率激光脉冲。具有Q开关输出效率高、适合重复频率工作等特点。其抗光损伤阈值高，比染料和色心可饱和吸收体稳定、耐用，在某些情况下可替代电光Q开关输出高功率激光脉冲。

晶向 、±5°
初始吸收系数 0.5～6cm-1@1064nm
初始透过率 6%～75%@1064nm
元件尺寸 直径:3～12mm
截面:3×3~12×12mm
尺寸公差 直径:0/-0.03mm,长度:0/+0.5mm
柱面加工 精磨
端面平行度 ≤30"
端面平面度 λ/8 @632.8nm
表面质量 20-10 (MIL-O-13830A)
增透膜反射率 ≤0.25%@1064nm
膜层抗激光损伤阈值 ≥500MW/cm2