泰思特EDS 10IC元器件半导体静电放电发生器3Ctest/3C测试中国EDS 10IC静电放电发生器(EDS 10IC静电放电发生器针对人体模型(HBM)和机械模型(MM)的静电放电抗扰度试验的特点和要求专门设计，可以对LED、晶体管、IC等半导体器件进行静电抗扰度的测试。符合IEC、ESDA、JEDEC和MIL等相应标准的要求，同时完全满足上述所有标准中严酷等级的静电电压要求。
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3Ctest/3C测试中国EDS 10IC静电放电发生器(特点：
全新三代控制平台
，触摸屏智能化控制。
自动识别阻容模块，并调整大电压。
低电压5V，1V步进调节电压
可完成单次或自动放电测试，可设置次数、频率等参数。
Human Body Model (HBM)
Machine Model (MM)
ESDA ANSI/ ESD STM5.2-2009
JEDEC JESD22- A114E Jan.2007
ANSI /ESD-STM5.1 2007
MIL-STD-883G 28 Feb.2006
ANSI/JEDEC JS-001-2010
JEDEC JESD22- A115C Nov.2010
技术参数 |
HBM 短路电流参数 |
放电电容 | 100
pF |
放电电阻 | 1500 Ω |
峰值电流Ips | 0.17
A +10% @250 V 0.33
A +10% @500 V 0.67
A +10% @1000 V 1.33
A +10% @2000 V 2.67
A +10% @4000 V |
上升时间 | 2
ns~10 ns |
脉冲宽度 | 150
ns + 20 ns |
振铃幅度 | <15%峰值电流 |
HBM
500欧电阻电流参数 |
峰值电流Ipr | 375
mA~550 mA @ 1000V 1.5
A~2.2 A @ 4000V |
Ipr/Ips | ≥ 63% |
上升时间 | 5
ns~25 ns |
MM短路电流参数 |
放电电容 | 200
pF |
放电电阻 | 0 Ù |
峰值电流Ip1 | 0.44
A +20% @25 V 0.88
A +20% @50 V 1.75
A +10% @100 V 3.5
A +10% @200 V 7.0
A +10% @400 V |
Ip2/Ip1 | 67%~90% |
周期 | 66
ns~90 ns |
MM
500欧电阻电流参数 |
峰值电流Ipr | 0.85
A~1.2 A @ 400 V |
100
ns电流值 I100 | 0.23
A~0.40 A @ 400 V |
I200/I100 | 30%~55% |
通用参数 |
输出电压 | HBM
5 V~8000 V (5%+5V) MM
5 V~1000V (5%+5V)
|
极性 | 正、负或正负交替 |
频率 | 0.1
Hz~5 Hz |
触发次数 | 1~999次 |
触发方式 | 自动，手动，外触发 |
输入电源 | AC
100 V ~240 V ，+10% 50
Hz /60 Hz |
环境温度 | 15 ℃~35℃ |
储藏温度 | -10℃~50℃ |
相对湿度 | 25%~75% |
尺寸 | 450
mm x320 mm x190 mm(长x宽x高) |
重量 | 约10
kg |
