砷化镓晶片GaAs
芜湖恒枢科技有限公司专业生产定制高质量砷化镓衬底片GaAs wafer、多晶棒。

 尺寸：1 " ，2" ，3"，4"，6" ；

晶向：（100）,（111）和偏2°、4°、6°、10°、16°等各种偏角；

类型：N- type 掺Si， P- type 掺Zn，半绝缘Undope；

厚度：100um、120um、350um、400um、500um、600um、625um；

提供“激光领域” 用高质量 超薄双抛GaAs ；提供光学透过可用的双抛半绝缘GaAs ；

提供高质量低位错的EPD<500、<300、<100、＜50 的高质量LD级外延用GaAs；

工艺加工：镀增透膜、镀金等欧姆接触、砷化镓电池、砷化镓外延（PN结、LED各色外延、LD激光器）。
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