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磷化铟晶片lnP 化合物半导体材料 电子极限漂移速度高 耐辐射性好
1台起批
110
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产品属性
图文详情
品牌推荐
品牌/厂家
北京特博
产品名称
磷化铟晶片
牌号
InP
类型
元素半导体材料
材质
用途
集成电路科研
外观
抛光
产地
中国
密度
2.33g/cm3
硬度
9-14Kg/mm2
晶向
100.110.111等
常用厚度
280um-1mm
导电类型
型、P型、本征半绝缘
工艺
可加工氧化氮化等
生长方式
直拉(CZ)、MCZ等
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