希曼顿（Himont）H3340ZE 固态继电器

参数	说明
型号	H3340ZE
类型	固态继电器（SSR），光耦隔离
输入	4 ~ 32 V DC（直流）
输出	0 ~ 250 V AC，zui大 40 A（单相）
内部元件	TRIAC + 光耦，具备零交叉触发功能
响应时间	1 ~ 3 ms（开） / 0.5 ~ 1 ms（关）
散热	需配合散热片（额定功耗约 2 W）
防护等级	IP20（室内）
工作温度	-30 °C ~ +80 °C
优势	无机械磨损、寿命长、抗冲击、噪声低、可直接并联多路控制

可控硅（晶闸管）基本概念

• 结构：PNPN 四层半导体，正向触发后保持导通，直至电流降至保持电流以下才关断。

• 主要参数

• 正向阻断电压（V DRM）‍：常见 600 V、1200 V、1700 V 等。

• 正向电流（I T）‍：10 A、25 A、40 A、63 A 等。

• 保持电流（I TM）‍：触发后维持导通所需的zui小电流。

• 触发方式：门极（G）正向电流触发，常配合电阻/电容形成触发电路。

• 典型应用

• 相位控制调压（如灯光调光、变频调速前级）

• 电机软启动（与电阻串联实现逐步升压）

• 功率因数校正、无功补偿

• 高功率整流（电源、焊接机）

选型要点

1. 电压/电流等级：确保 V DRM ≥ zui高工作电压，I T ≥ 负载峰值电流。

2. 门极触发电流：配合驱动电路，常用 5 ~ 10 mA。

3. 散热设计：功率损耗 P≈V F·I·(1‑cosφ)，需加装散热片或风冷。

4. 开关速度：对高频 PWM 需求选用低正向压降、快速恢复的晶闸管（或改用 IGBT）。

H3340ZE 与可控硅的对比

项目	H3340ZE（SSR）	可控硅（SCR）
控制方式	光耦隔离、零交叉触发	门极电流触发
开关速度	1 ~ 3 ms	10 ~ 100 µs（更快）
寿命	几万次以上（无机械磨损）	几千次（受热循环影响）
适用场景	交流负载开关、噪声敏感系统	相位调压、软启动、功率因数校正
散热需求	低（约 2 W）	较高，取决于电流/压降

使用建议

• 若仅需 开/关 控制且要求 低噪声、长寿命，推荐使用 H3340ZE 固态继电器。

• 若需要 相位调节、软启动 或 高频 PWM，则选用 可控硅（SCR）‍ 并配合合适的触发电路与散热方案。

‌联系方式‌：电话18560220268（杨女士），地址济南市槐荫区经十路22799号‌。

注：产品参数及价格需以厂商实时报价为准，建议直接联系供应商获取技术文档与合同细则