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公司简介
制造商为芬兰Okmetic Oyj公司，是先进硅晶圆领域的市场领导者，专注于为传感器和半导体行业提供定制化硅片解决方案。公司总部及主要生产基地位于芬兰万塔（Vantaa），并在德国、美国、日本和中国设有全球销售网络。
产品类型
Okmetic提供广泛的硅晶圆产品，主要产品线包括：
· 绝缘体上硅（SOI）晶圆（Silicon-On-Insulator wafers）
· 键合SOI晶圆（Bonded SOI, BSOI）
· 腔体SOI晶圆（Cavity SOI, C-SOI®）
· 增强型SOI晶圆（Enhanced SOI, E-SOI®）
· 单面抛光晶圆（Single Side Polished, SSP wafers）
· 双面抛光晶圆（Double Side Polished, DSP wafers）
· 图案化晶圆（Patterned wafers）
· 高电阻率RFSi®晶圆（High Resistivity RFSi® wafers）
· 硅通孔晶圆（Through Silicon Via, TSV wafers）
主要型号
其SOI晶圆产品线的主要型号包括：
· 标准键合SOI晶圆（BSOI）
· 0.3 SOI晶圆（具有±0.3 μm器件层厚度公差）
· E-SOI®晶圆（具有±0.1 μm的极高器件层厚度均匀性）
· C-SOI®晶圆（内置密封腔图案）
· 无台阶SOI晶圆（Terrace Free SOI wafers）
· 功率管理SOI晶圆（Power Management SOI wafers）
产品介绍
Okmetic的SOI晶圆采用键合技术制造，在底层衬底晶圆（handle wafer）和顶层硅器件层之间有一层埋氧层（Buried Oxide, BOX），从而形成一个半导体-绝缘体-半导体（SIS）的三层结构。该技术始于20世纪90年代，并于2001年开始量产。其晶圆直径覆盖150mm和200mm，可根据客户需求定制晶体取向（如<100>, <111>, <110>）、电阻率（0.0015至1500 ohm-cm）和掺杂类型（N型或P型）。
优势特点
· 卓越的电学隔离：埋氧层能有效减少寄生电容和漏电流，提升器件性能，并降低CMOS逻辑电路的门锁（latch-up）风险。
· 极高的均匀性与精度：E-SOI®晶圆可实现±0.1 μm的顶级器件层厚度均匀性，为 demanding 的MEMS设计提供了传统技术无法实现的平台。
· 成本效益：相较于体硅（bulk silicon）晶圆，SOI技术为制造更小、更高效的器件提供了极具成本效益的解决方案。
· 技术成熟与定制灵活：拥有超过20年的SOI技术研发和生产经验，能提供高度定制化的晶圆参数以满足不同器件和工艺的精确需求。
主要应用
该SOI晶圆系列广泛应用于：
· MEMS与传感器：是压力传感器、谐振器等MEMS器件的理想平台，为该领域的主要增长驱动因素。
· 功率器件：用于采用沟槽隔离技术的高压BCD和横向高压器件等功率管理解决方案。
· 射频（RF）器件：其高电阻率BSOI晶圆（High Resistivity BSOI）专为RF应用需求而设计。
· 研究与先进电子：为氮化镓（GaN）-on-SOI等前沿研究以及高性能CMOS/SOI电路、高频应用提供基础材料。
赫尔纳供应芬兰Okmetic SOI晶圆，致力于为全球半导体与传感器产业提供高性能、高可靠性的硅材料解决方案，帮助客户实现器件的创新与性能突破。赫尔友道，融中纳德-----我们无假货，我们价格实惠，我们品质！
