高灵敏度一，二维磁阻芯片HMC1001/1002
高灵敏度的小体积磁阻传感器。更灵敏的分辨率, 小体积,可靠性好,适合用于低成本场合。
高灵敏度一，二维磁阻芯片HMC1001/1002主要特点
HMC1001是一维磁阻微电路，感应与管脚方向平行的磁场。HMC1002是二维磁阻微电路，两个传感器的敏感方向互相垂直。传感器A与外封装长边方向平行的磁场，传感器B与外封装长边方向垂直且与表面平行的磁场。
在外磁场的作用下，磁阻的变化引起输出电压（OUT+和OUT-）的变化，并直接表示磁场的强度。由于器件本身不需聚磁器，所以不会导致迟滞和非重复性，芯片内置有霍尼韦尔专利的电流带，不需要外部线圈。
传感器由四个800~900欧姆的磁阻臂组成惠斯通电桥，在正负2Oe的范围内具有灵敏度为2.6mV/V-Oe的线性输出，电桥的噪声密度在1Hz以上为25nV/Hz。传感器的工作电压为0~10V。电桥输出的差分放大受桥路的失调电影响。当工作电压为8V时，无外磁场作用下的失调电压通常为-10~25mV。
 除了磁阻电桥路之外，传感器内有一个磁耦合电流带可进行多种模式的操作。场补偿电流带（OFFSET+和OFFSET-）上每通过50mA的电流，相当于在与敏感轴交叉的方向上提供1Oe的磁场。这样便可以在电流带上加以一直流电流，来抵消不想要的外环境磁场。另一种用法上在电流带片上提供反馈信号电流，使传感器工作在闭环模式下。
高灵敏度一，二维磁阻芯片HMC1001/1002应用范围
罗盘，导航系统，姿态参照，虚拟实景，交通车辆检测，接近检测，医疗仪器