RGZ(S)-300/1200/3型管式真空气氛烧结炉专门设计用于半导体器件，如二极管、热敏电阻（NTC）烧结工艺。
该炉采用FEC陶瓷纤维内嵌电阻丝加热保温，日本进口单回路智能温度控制仪控温，温区设计隔板结构；炉内可预抽真空，通入保护性气氛。该设备具有温度均匀、控制稳定、温区间温度扰动小、升温速度快、节能、使用温度高、寿命长等特点,是企业、科研院所批量生产的理想设备。
一：主要技术指标：工作温度：RT∽650℃；最高温度：700℃炉口尺寸：φ400mm（内径）×1850炉管尺寸：φ300mm（内径）×1750恒 温 区：1200mm（三个温区）温度均匀性：±5℃ 控温精度：±0.5℃；采用日本进口控温仪控温点数：3点（双管独立加热器）测温点数：3点（双管相互转换）升温速率：15℃/min升温时间：≤60min，(从室温到700℃)气体保护：可通入氮气、氩气等气体真空度： 0.67Pa（一级机械泵）总功率：35kW；保温功率：20kW，(700℃)外型尺寸：5000×1700×2400mm（L×H×W）