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半导体制冷器件陶瓷片
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宜兴市丁蜀镇文峰电子陶瓷器件厂
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元素半导体
介电常数:ε=8~10介质损耗:tgθ≤4×10-4绝缘强度:Ruy≥1×1014Ω·Cm抗电强度:Enp≥15KV/Cm线膨胀系数:
6.5~8.0×10-6/℃静态抗折强度≥27440N/Cm2尺寸规格及尺寸精度可根据客户要求制造。并可根据用户设计,在陶瓷基片上进行:
1、Mo-Mn金属化然后镀Ni和Au2、印刷Ag-Pd导带和Ru电阻。通导电阻低,抗氧化能力强,易焊性好。
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