三菱IGBT模块武汉晶达电子有限公司聚十多年功率半导体的专业经验,为三菱功率半导体器件在中国区域的授权代理商，负责三菱功率半导体在中国市场的推广和销售工作。以下大量现货，欢迎查询。A系列特点:a)
采用最新的CSTBT硅片技术；b)
低饱和压降Vce(sat)；低开通损耗Eon；低关断损耗Eoff高短路承受力（不需要RTC）；c)
降低栅极电容，栅极驱动功率接近平板型IGBT；d)
采用AlN绝缘基层形成优异的热阻特性，比欧洲的沟槽型IGBT具有更低的热阻；e)
比欧洲的沟槽型IGBT具有更低的成本结构，按IEC747-15标准定义温度和热阻。用途:低成本设计，适合中、低端
型号模块结构及参数型号模块结构及参数CM400HA-24A一单元，400A/1200VCM600DY-24A两单元，600A/1200VCM600HA-24A一单元，600A/1200VCM75DY-34A两单元，75A/1700VCM100DY-24A两单元，100A/1200VCM100DY-34A两单元，100A/1700V