设备用途：用于半导体器件工艺中氮化硅、二氧化硅、多晶硅的薄膜制备。设备特点：一次设定自动完成，可另配特气柜。真空系统可选配进口机组。 主要技术指标：制备3-4吋氮化硅、多晶硅和二氧化硅薄膜温度400-900℃恒温区600 mm±0.5℃真空系统机械泵+罗茨泵,配有抽气冷井控温器采用进口5吋触摸屏通入气体SiH4、NH3和N2进口质量流量计控制阀门用进口气动阀和减压阀动作顺序为PLC编程控制薄膜压力控制器加阀闭环控制压强。