普通的压阻式压力传感器其敏感控测惠斯顿全桥的四个力敏电阻是用集成电路工艺制造的，电阻间用P N结相互隔离。由于受到P N结耐温限制，最高使用温度仅125℃，而实际上由于PN结反向漏电流随温度的指数上升关系，在温度超过100℃后，传感器性能已大大劣化，这限制了普通压阻传感器的可用温度范围。利用厚薄膜技术制作力敏电阻，可将使用温度扩展至125℃；利用多晶硅SOI技术制作力敏电阻，可将使用温度扩展至150℃；利用传统SOS技术和先进的SOI技术可将使用温度扩展至180℃-350℃；利用最新的β相高温力敏材料碳化硅与SOI技术的结合，可将使用温度扩展至450℃-850℃。本系列产品即是利用国家“七五”、“八五”、  “九五”传感器技术攻关成果开发的中高温压力传感器，有的品种在国家“十五” 攻关及“863”计划支持下仍在进一步开发中。本系列产品在工业过程控制、化工工程、热能工程、石油勘采及国防科研中已得到广泛应用。考虑到使用环境条件的不同及出于成本价格考虑，本系列产品的变送器有分体、一体、隔离一体三种，可视用户需求选取及设计，本系列产品不少可以同时设计成高频动态型的，用户可视需求提出要求与专门设计。