DSY-II型单晶寿命测试仪，用于测量硅单晶的非平衡少 数载流子寿命。 它是检验半导体单晶质量的关键设备之一。 本仪器灵敏度较高，配备有红外光源，可测量包括集成电路 级硅单晶在内的各种类型硅单晶，以及经热处理后寿命骤降 的硅单晶、多晶磷检棒的寿命测量等。 主要技术性能： * 测试单晶电阻率范围： >3Ω.cm； * 可测单晶少子寿命范围： 20μS-5000μS； * 配备光源类型：红外光源，波长：1.09μm；余辉<10 μS； 闪光频率为：20-30次／秒； * 高频振荡源：用石英谐振器，振荡频率：30MHz： * 前置放大器：放大倍数约25，频宽2 Hz-1 MHz； * 仪器测量重复误差：<±20％； * 测量方式：采用对标准曲线读数方式； * 仪器消耗功率：<25W；