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IPD50N06S2-14
1000台起批
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北京晶川电子技术发展有限责任公司
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品牌推荐
品牌/型号
INFINEON/英飞凌/IPD50N06S2-14
最大漏极电流
1(mA)
材料
GE-P-FET锗P沟道
种类
绝缘栅MOSFET
最大耗散功率
1(mW)
跨导
1(μS)
型号
IPD50N06S2-14
封装外形
P-DIT/塑料双列直插
开启电压
1(V)
品牌
INFINEON/英飞凌
用途
MOS-HBM/半桥组件
沟道类型
N沟道
导电方式
耗尽型
夹断电压
1(V)
低频噪声系数
1(dB)
极间电容
1(pF)
Datasheets
IPx034N06L3 G
Product Photos
TO-220-3
Catalog Drawings
MOSFET TO-220(AB), TO-220-3
Standard Package
500
Category
Discrete Semiconductor Products
Family
FETs - Single
Series
OptiMOS™
FET Type
MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature
Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.7 mOhm @ 90A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)
60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C
90A
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 93µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs
79nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds
13000pF @ 30V
Power - Max
167W
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-220-3
Supplier Device Package
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