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IPW60R190C6
10000台起批
12.00
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北京晶川电子技术发展有限责任公司
北京市北京市方庄南三环东路23号院1号楼西段601、602室
产品属性
图文详情
品牌推荐
品牌/型号
INFINEON/英飞凌/IPW60R190C6
最大漏极电流
1(mA)
材料
GE-N-FET锗N沟道
种类
绝缘栅MOSFET
最大耗散功率
1(mW)
跨导
1(μS)
型号
IPW60R190C6
封装外形
CHIP/小型片状
开启电压
1(V)
品牌
INFINEON/英飞凌
沟道类型
N沟道
导电方式
耗尽型
夹断电压
1(V)
低频噪声系数
1(dB)
极间电容
1(pF)
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