FQPF8N60C，采用TO-220F 封装方式。
晶体管极性:N
漏极电流, Id 值:7.5A
电压, Vds :600V
开态电阻, Rds(on):1.2ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:30V
功耗:48W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-220F
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
功率, Pd:48W
封装类型:TO-220F
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:600V
电流, Id 连续:7.5A
电流, Idm 脉冲:30A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:4V
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)