晶体管类型:MOSFET 

 晶体管极性:N电压, Vds  

典型值:600V电流,   Id 连续:9A  开态电阻, Rds(on):0.8ohm  电压 Vgs @ Rds on 测量:10V阈值电压, Vgs th 典型值:4V封装类型:TO-220F表面安装器件:通孔安装SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride功耗:50W电压, Vds 最大:600V电流, Idm 脉冲:36A针脚数:3阈值电压, Vgs th 最高:4VSVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP)Transistor Case Style:TO-220F