IRF540N，采用TO-220AB 封装方式。 

晶体管极性:N沟道 

漏极电流, Id 值:33A 

电压, Vds :100V 

开态电阻, Rds(on):0.052ohm 

电压 @ Rds测量:10V 

电压, Vgs 最高:4V 

功耗:94W 

封装类型:TO-220AB 

针脚数:3 

功率, Pd:94W 

器件标记:IRF540N 

封装类型:TO-220AB 

引脚节距:2.54mm 

晶体管数:1 

晶体管类型:MOSFET 

温度 @ 电流测量:25°C 

满功率温度:25°C 

热阻, 结至外壳 A:1.1°C/W 

电压 Vgs @ Rds on 测量:10V 

电压, Vds 典型值:100V 

电流, Id 连续:27A 

电流, Idm 脉冲:110A 

表面安装器件:通孔安装 

针脚格式:1 g 

2 d/tab 

3 s 

针脚配置:a 

阈值电压, Vgs th 典型值:4V