IRF740，采用SOIC 封装方式。 

晶体管极性:N沟道 
漏极电流, Id 值:8.7A 
电压, Vds :20V 
开态电阻, Rds(on):0.022ohm 
电压 @ Rds测量:4.5V 
电压, Vgs 最高:700mV 
功耗:2.5W 
封装类型:SOIC 
针脚数:8 
SMD标号:F7401 
功率, Pd:2.5W 
外宽:4.05mm 
外部深度:5.2mm 
外部长度/高度:1.75mm 
封装类型:SOIC 
排距:6.3mm 
晶体管数:1 
晶体管类型:MOSFET 

温度 @ 电流测量:25°C 
满功率温度:25°C 
电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V 
电压, Vds 典型值:20V 
电流, Id 连续:8.7A 
电流, Idm 脉冲:35A 
结温, Tj 最低:-55°C 
表面安装器件:表面安装 
针脚配置:b 
阈值电压, Vgs th 典型值:0.7V