IRF840，采用TO-220AB 封装方式。 

晶体管极性:N沟道 
电压, Vds :500V 
开态电阻, Rds(on):0.85ohm 
功耗:125W 
封装类型:TO-220AB 
针脚数:3 
功率, Pd:125W 
封装类型:TO-220AB 
???体管数:1 
晶体管类型:MOSFET 

温度 @ 电流测量:25°C 
满功率温度:25°C 
热阻, 结至外壳 A:1°C/W 
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V 
电压, Vds 典型值:500V 
电流, Id 连续:8A 
电流, Idm 脉冲:32A 
表面安装器件:通孔安装 
阈值电压, Vgs th 典型值:4V 
阈值电压, Vgs th 最高:4V