2-8寸单晶硅片 抛光片 生长方式: 直拉 CZ 型号: N型/磷、砷、锑 P型/硼 (掺杂元素) 晶向: 111/100 电阻: 0.0015-60 Ω·cm(电阻范围可选、也可按照客户需要订制) 厚度: 200-5000μm(厚度范围可选、也可按照客户需要订制) 平整度TIR:<3μm 弯曲度Bow: <15μm 翘曲度TTV: <15μm 粗糙度nm : <0.5nm
生长方式: 直拉 CZ
型号: N型/磷、砷、锑 P型/硼 (掺杂元素)
晶向: 111/100
电阻: 0.0015-60 Ω·cm(电阻范围可选、也可按照客户需要订制)
厚度: 200-5000μm(厚度范围可选、也可按照客户需要订制)
平整度TIR:<3μm
弯曲度Bow: <15μm
翘曲度TTV: <15μm
粗糙度nm : <0.5nm
主要用途有:1、用于同步辐射实验样品载体;2、用于磁控溅射生长样品;3、用于X射线分析晶体等。
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