2-6寸本征高阻不掺杂抛光硅片参数规格

生长方式：  区熔 FZ

     晶向： 111/100

    电阻： 800-5000Ω·cm（电阻范围可选、也可按照客户需要订制）

    厚度： 300-5000μm（厚度范围可选、也可按照客户需要订制）

 平整度TIR：<3μm

 弯曲度Bow:  <15μm

翘曲度TTV:  <15μm

粗糙度nm :  <0.5nm

库存现有厚度：需订制

盒装硅片 :25片装(镀铝箔真空包装)

 主要用途有：
1、用于同步辐射样品载体；
2、用于磁控溅射生长样品；
3、用于X射线分析晶体等。