2-6英寸二氧化硅（SiO2）抛光硅片参数规格

生长方式：  直拉  CZ   

氧化方式：热氧化制备

      型号：  N型/磷、砷、锑    P型/硼  （掺杂元素）    

    晶向：  111/100

    电阻：  0.001-25Ω·cm（电阻范围可选、也可按照客户需要订制）

    厚度：  250-600（厚度范围可选、也可按照客户需要订制）

氧化层厚度：50nm-1000nm（氧化层厚度范围可选、也可按照客户需要订制）

平整度TIR：<3μm

弯曲度Bow:  <15μm

翘曲度TTV:  <15μm

粗糙度nm :  <0.5nm

库存现有厚度：需订制

盒装硅片 : 25片装(镀铝箔真空包装)

上述概括了此产品参数，对产品有其它厚度或者参数要求请与本公司详谈！

注：尺寸不同 ，氧化层厚度不同价格也会有不同具体请联系我们！