产品特点
- 每片集成一组或两组的自旋阀巨磁电阻（GMR）惠斯通电桥
- 模拟正电压（半桥）或差分电压（全桥）输出
- 测量范围：±0.3mT～±4.3mT
- 灵敏度：3mV/V·mT～40mV/V·mT
- 供电电压：DC1V～DC20V
- 频率响应：0～1MHz
- 非线性度：0.4%～2%
- 温度稳定性：≤20 ppm/℃
- 工作温度范围：-40℃～85℃（类），-55℃～125℃（第二类）
- SOP8表面贴装封装
应用领域
- 磁头
- 接近开关
- 角度传感器、转速传感器、位移传感器
- 电流检测
- 磁电编码器
- 电子罗盘
- 特种弱磁检测领域
产品描述
自旋阀巨磁电阻（GMR）传感器芯片VA系列是用于检测磁场的惠斯通电桥结构。当向电桥供电后,在敏感轴方向加入磁场强度会引起电桥电阻元件的变化，导致电桥输出端的电压产生相应的变化，即传感器的输出电压变化量与外加磁场强度成正比。VA系列巨磁电阻（GMR）传感器芯片采用一组或两组的GMR惠斯通电桥结构，将磁场转化成模拟正电压（半桥）或差分电压（全桥）输出，具有宽的测量范围、高灵敏度、低磁滞、低温漂和优良的线性度，可以测量±0.3mT～±4.3mT的磁场，采用超小型尺寸封装。产品可广泛应用于智能电网、智能交通、汽车电子、工业控制、医疗设备、消费电子等领域。
产品参数说明
——高灵敏度系列
型号 | 测量范围(mT) | 分辨力 (nT) | 灵敏度典型值 (mV/V·mT) | 非线性度 (%)FS | 温度漂移(ppm/℃) | 电阻值(Ω) |
VA100F2 | ±0.3 | 20 | 36 | 1.0 | 1.0 | 2500 |
VA100F3 | ±0.4 | 22 | 26 | 1.2 | 3.3 | 5000 |
VA100F4 | ±0.4 | 32 | 24 | 0.7 | 7.2 | 5000 |
VA200F3 | ±0.3 | X: 18 Y:20 | X:25 Y:26 | 2.2 | 1.4 | 5000 |
VA200F4 | ±0.5 | X：20 Y:18 | X:24.5 Y:24 | 1.2 | 1.7 | 2500 |
——宽测量范围系列(Vcc=5V)
型号 | 电阻（Ω） | 灵敏度 （mV/V·mT） | 饱和场 （mT） | 分辨力 （ nT） | 非线性度 (%)FS | 温漂 ppm/℃ |
VA110F2 | 5000 | 14 | 2.0 | 241 | 0.59 | 8.8 |
VA110F3 | 10000 | 10 | 4.8 | 727 | 0.55 | 6.4 |
VA110F4 | 20000 | 6 | 4.6 | 1212 | 0.75 | 5.3 |
VA110F5 | 10000 | 6 | 4.6 | 1177 | 1.0% | 6.4 |
VA110H2 | 20000 | 5 | 2.6 | | | |
VA110H2R | 20000 | 5 | 2.6 | | | |
VA110H3 | 20000 | 3 | 4.3 | | | |
VA110H3R | 20000 | 3 | 4.3 | | | |
注：型号不同，售价不同，详细请电询！
