IR 场效应管 MOS管 IRF630NPBF IRF9540NPBF
型号
IRF630NPBF IRF9540NPBF
- 场效应管 MOSFET N
TO-220 200V 9.5A - 晶体管极性:N沟道
- 电流, Id 连续:
9.3A - 电压, Vds :
200V - 在电阻RDS（上）:
300mohm - 电压 @ Rds测量:
10V - 阈值电压, Vgs th
典型值:4V - 功耗, Pd:
82W - 工作温度范围:
-55°C 到 +175°C - 封装类型:TO-220AB
- 针脚数:3
- 功率, Pd:
82W - 功耗:82W
- 封装类型:TO-220AB
- 漏极电流, Id
值:9.3A - 热阻, 结至外壳 A:
1.83°C/W - 电压 Vgs @ Rds on
测量:10V - 电压, Vds 典型值:
200V - 电压, Vgs 最高:
4V - 电流, Idm 脉冲:
37A
- 场效应管 MOSFET P
TO-220 -100V -23A - 晶体管极性:P沟道
- 电流, Id 连续:
19A - 电压, Vds :
100V - 在电阻RDS（上）:
117mohm - 电压 @ Rds测量:
-10V - 阈值电压, Vgs th
典型值:-4V - 功耗, Pd:
94W - 工作温度范围:
-55°C 到 +175°C - 封装类型:TO-220AB
- 针脚数:3
- SVHC(高度关注物质):No SVHC
(19-Dec-2012) - 功率, Pd:
94W - 功耗:94W
- 器件标记:IRF9540N
- 封装类型:TO-220AB
- 引脚节距:2.54mm
- 晶体管数:1
- 温?? @ 电流测量:
25°C - 满功率温度:25°C
- 漏极电流, Id
值:-23A - 热阻, 结至外壳 A:
1.1°C/W - 电压 Vgs @ Rds on
测量:-10V - 电压, Vds:
100V - 电压, Vds 典型值:
-100V - 电压, Vgs 最高:
-4V - 电流, Idm 脉冲:
76A - 表面安装器件:
Through Hole - 通态电阻, Rds on
:117mohm - 针脚格式:1 g
- 2 d/tab
