IR IRFB4710PBF 场效应管 MOSFET N TO-220 100V 75A
晶体管极性:ñ频道
- 电流, Id 连续:75A
- 电压, Vds :100V
- 在电阻RDS（上）:14mohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 阈值电压, Vgs th 典型值:5.5V
- 功耗, Pd:200W
- 封装类型:TO-220AB
- 针脚数:3
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (19-Dec-2011)
- 功率, Pd:200W
- 功耗:200W
- 封装类型:TO-220AB
- 漏极电流, Id 值:75A
- 热阻, 结至外壳 A:0.74°C/W
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:100V
- 电压, Vgs 最高:5.5V
- 电流, Idm 脉冲:300A
- 表面安装器件:通孔安装
- 通态电阻, Rds on :14mohm
- 阈值电压, Vgs th 最高:4.5V
