VISHAY SILICONIX SI2305DS-T1-E3 场效应管 MOSFET P
晶体管极性:P通道
- 电流, Id 连续:-3.5A
- 电压, Vds :-8V
- 在电阻RDS(上):52mohm
- 电压 @ Rds测量:-4.5V
- 阈值电压, Vgs th 典型值:-800mV
- 功耗, Pd:1.25W
- 封装类型:TO-236
- 针脚数:3
- 功耗:1.25W
- 封装类型:TO-236
- 漏极电流, Id 值:3.5A
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:-4.5V
- 电压, Vds 典型值:-8V
- 电压, Vgs 最高:-800mV
- 表面安装器件:表面安装