描述;Description
L5IR850B-45系列发射管是采用GaAlAs技术的高功率红外发射二极管,采用透明的塑料封装。在一个相似的波长内与标准GaAs比较,GaAlAs技术的这些发射二极管达到超过100%辐射功率改善。正向电压在低电流和高脉冲电流工作条件下大致对应于标准技术。
所以这些发射二极管是理想的作为标准发射器件的高性能产品。
主要参数;principal
character
型号 Model No. | 材料Material | 波长Wavelength λp(nm) | 颜色 Lens Color | 发射角度Viewing Angle 2θ1/2 |
L5IR850B-45 | AlGaAs | 850 | 清胶 Water Clear | 45 |
极限参数;Absolute Maximum Ratings at Ta=25℃
参数 Parameter | 测试条件 Test Conditions | 符号Symbol | 数值 Value | 单位Unit |
正向电流 Peak Forward Current | | Ifm | 50 | mA |
正向脉冲电流 Surge Forward Current | tp/T = 0.5, tp = 100 μs | Ifsm | 1.5 | A |
耗散功率 Power Dissipation | | Pv | 150 | mW |
结温 Junction Temperature | | Tj | 100 | ℃ |
工作温度范围 Operating Temperature
Range | | Tamb | -25 +80 | ℃ |
存储温度范围 Storage Temperature Range | | Tstg | -55 +100 | ℃ |
焊接温度 Soldering Temperature | t ≦ 5sec, 3 mm from case | Tsd | 260 | ℃ |
光电特性;Electrical Optical
Characteristics:
参数 Parameter | 测试条件 Test Conditions | 符号 Symbol | 最小 Min | 典型 Typ | 最大 Max | 单位 Unit |
正向电压 Forward Voltage | IF = 50mA | VF | 1.3 | | 1.8 | V |
反向漏电流 Reverse Current | Vr=5V | IR | | | 10 | μA |
结电容 Junction Capacitance | VR = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 | Cj | | 25 | | Pf |
发射强度 Radiant Intensity | IF =50 mA | Ie | 50 | | 60 | mW/sr |
功率衰减系数 Temp. Coefficient of φe | IF = 50 mA | TKφe | | -0.6 | | %/K |
发射角度 Angle of Half Intensity | | 2θ1/2 | | 45 | | deg |
峰值波长 Peak Wavelength | IF = 50 mA | λp | | 850 | | nm |
光谱偏差范围 Spectral Bandwidth | IF = 50 mA | △λ | | 50 | | nm |
波段衰减系数 Temp. Coefficient of λp | IF = 50 mA | TKλp | | 0.2 | | nm/K |
上升时间 Rise Time | IF = 50 mA | tr | | 25 | | ns |
下降时间 Fall Time | IF = 50 mA | tf | | 13 | | ns |